搜索關(guān)鍵詞: 氮化硅陶瓷加工 氮化鋁陶瓷加工 macor可加工微晶玻璃陶瓷
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氮化鋁陶瓷憑借 “高導(dǎo)熱、強(qiáng)絕緣、熱匹配性優(yōu)” 的核心特質(zhì),成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中多類關(guān)鍵功能材料的優(yōu)選,其應(yīng)用貫穿晶圓制造到器件封裝全鏈條。?
首先是半導(dǎo)體制造核心部件材料。在刻蝕、化學(xué)氣相沉積等工藝中,氮化鋁陶瓷是靜電卡盤介電層的理想材料,其熱導(dǎo)率可達(dá) 170-230W/(m?K),能快速傳導(dǎo)晶圓加工熱量,配合與硅晶圓接近的熱膨脹系數(shù)(約 4.5×10??/℃),大幅降低熱應(yīng)力導(dǎo)致的晶圓破裂風(fēng)險(xiǎn)。同時(shí),它也是陶瓷加熱器的核心基材,可實(shí)現(xiàn)晶圓均勻加熱,保障薄膜沉積等工藝的溫度精度。?
其次是高性能封裝與散熱材料。在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,氮化鋁陶瓷基板是 IGBT、SiC MOSFET 等模塊的關(guān)鍵散熱載體,升級(jí)版產(chǎn)品熱導(dǎo)率超 200W/(m?K),能將芯片溫度從 120℃降至 65℃,散熱效率較傳統(tǒng)氧化鋁基板提升 4 倍。針對(duì) 7nm 等先進(jìn)制程芯片,通過 3D 打印制成的氮化鋁基板可集成 0.3mm 級(jí)微通道,進(jìn)一步強(qiáng)化散熱能力。?
此外還是高頻器件支撐材料。其介電常數(shù)僅 8.5-9.5,介電損耗小于 0.001,在半導(dǎo)體高頻通信模塊中可作為濾波器、射頻器件基板,在 30GHz 頻段下插入損耗僅 0.2dB,遠(yuǎn)優(yōu)于金屬材料,同時(shí)兼具耐腐蝕與耐高溫性,適配半導(dǎo)體制造的復(fù)雜化學(xué)環(huán)境。?
從制造到封裝,氮化鋁陶瓷以多形態(tài)材料角色,為半導(dǎo)體設(shè)備穩(wěn)定性與器件性能提供核心支撐。